Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gate drive voltage ratings (4.5V – 20V). Features • –3.0 A, –60 V. RDS(ON) = 150 mΩ @ V

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Fairchild

仙童半导体

60V P-Channel PowerTrench MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

P 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，-3.0A，150mΩ

此P沟道MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 已针对要求大范围栅极驱动电压额定值(4.5V-20V)的功率管理应用进行了优化。 •-3.0A，-60V\n•RDS(ON) = 150 mΩ @ VGS = -10V\n•RDS(ON) = 240 mΩ @ VGS = -4.5V\n•低栅极电荷\n•快速开关速度\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)\n•高功率和高电流处理能力;

ONSEMI

安森美半导体

60V P-Channel PowerTrench MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体