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NDS332P	文件：1.54866 Mbytes Page：4 Pages	Marking：.39K；Package：SOT-23；P-Channel Mosfet Application Load/PowerSwitching InterfacingSwitching LogicLevelShift	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
NDS332P	文件：78.68 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheseP-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDS332P	文件：456.46 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDS332P-NL	文件：1.035609 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NGRUS332	文件：1.14916 Mbytes Page：9 Pages	NeutralGroundingResistorSystem,NGRSERIES–US Description High-resistancegroundingpreventsmanyoftheproblems thatareassociatedwithungroundedandsolidlygrounded electricaldistributionandutilizationsystems.High-resistance groundingcanlimitpoint-of-faultdamage,eliminatetransient overvoltages,reducethearc-flashhazar	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
NT332	文件：281.25 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconTransistor Description •Generalsmallsignalamplifier Features •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=-0.15V(Max.) •Extremelysmallsizepackage:0.8x0.6x0.4㎜Typ. •ComplementarypairwithNT331	AUK AUK corp	AUK
NT332	文件：286.58 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconTransistor Description •Generalsmallsignalamplifier Features •Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=-0.15V(Max.) •Extremelysmallsizepackage:0.8x0.6x0.4㎜Typ. •ComplementarypairwithNT331	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
NT332	文件：286.58 Kbytes Page：4 Pages	Generalsmallsignalamplifier	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
NTE332	文件：21.41 Kbytes Page：2 Pages	SiliconComplementaryTransistorsAudioPowerAmp,Switch Description: TheNTE331(NPN)andNTE332(PNP)aresiliconepitaxial–basecomplementarypowertransistorsinaTO–220plasticpackageintendedforuseinpowerlinearandswitchingapplications.	NTE NTE Electronics	NTE
OD332JE.	文件：305.18 Kbytes Page：2 Pages	OD/OF/OASeries Features •Moldedinsulationforhighdielectricstrength •Ruggedconstruction •Highsurgecapabilities •Comparableto“Mil”RC07,RC20,andRC32types •OD/OFSeriesavailableinE24values •OASeriesavailableinE12values	OHMITEOHMITE MANUFACTURING COMPANY 欧敏欧敏电阻制造公司	OHMITE

详细参数

型号：
NDS332P
功能描述：
MOSFET SOT-23 P-CH LOGIC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多NDS332P供应商更新时间2025-7-12 16:10:00

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