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NDS355AN	文件：60.76 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription SuperSOT™-3N-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularl	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDS355AN	文件：445.36 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDS355AN-NL	文件：475.48 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NDS355N	文件：74.68 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NGRUS355	文件：1.14916 Mbytes Page：9 Pages	NeutralGroundingResistorSystem,NGRSERIES–US Description High-resistancegroundingpreventsmanyoftheproblems thatareassociatedwithungroundedandsolidlygrounded electricaldistributionandutilizationsystems.High-resistance groundingcanlimitpoint-of-faultdamage,eliminatetransient overvoltages,reducethearc-flashhazar	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
NP355	文件：198.67 Kbytes Page：2 Pages	1/2PRESS-FITSTRAIGHTLEADDIODES	SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
NTE355	文件：20.21 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNTransistorRFPowerOutputPO=30W@175MHz Description: TheNTE355isdesignedfor12.5VoltVHFlarge–signalamplifierapplicationsrequiredinmilitaryandindustrialequipmentoperatingto250MHz. Features: ●BalancedEmitterConstructionwithIsothermalResistorDesigntoProvidetheDesignerwiththeOptimuminTransistorRuggednes	NTE NTE Electronics	NTE
NTS355	文件：725.2 Kbytes Page：3 Pages	Activepowerfactorcorrection	EMERSON-NETWORKPOWEREmerson Network Energy Co., Ltd 艾默生艾默生网络能源有限公司	EMERSON-NETWORKPOWER
NTS355	文件：891.45 Kbytes Page：5 Pages	Activepowerfactorcorrection	ARTESYN Artesyn Embedded Technologies	ARTESYN
NTS355	文件：891.45 Kbytes Page：5 Pages	Singlewirecurrentsharing	ARTESYN Artesyn Embedded Technologies	ARTESYN

详细参数

型号：
NDS355AN
功能描述：
MOSFET SOT-23 N-CH LOGIC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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