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NDS355AN-NL	文件：475.48 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NDS355N	文件：74.68 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NGRUS355	文件：1.14916 Mbytes Page：9 Pages	NeutralGroundingResistorSystem,NGRSERIES–US Description High-resistancegroundingpreventsmanyoftheproblems thatareassociatedwithungroundedandsolidlygrounded electricaldistributionandutilizationsystems.High-resistance groundingcanlimitpoint-of-faultdamage,eliminatetransient overvoltages,reducethearc-flashhazar	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
NP355	文件：198.67 Kbytes Page：2 Pages	1/2PRESS-FITSTRAIGHTLEADDIODES	SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
NTE355	文件：20.21 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNTransistorRFPowerOutputPO=30W@175MHz Description: TheNTE355isdesignedfor12.5VoltVHFlarge–signalamplifierapplicationsrequiredinmilitaryandindustrialequipmentoperatingto250MHz. Features: ●BalancedEmitterConstructionwithIsothermalResistorDesigntoProvidetheDesignerwiththeOptimuminTransistorRuggednes	NTE NTE Electronics	NTE
NTS355	文件：725.2 Kbytes Page：3 Pages	Activepowerfactorcorrection	EMERSON-NETWORKPOWEREmerson Network Energy Co., Ltd 艾默生艾默生网络能源有限公司	EMERSON-NETWORKPOWER
NTS355	文件：891.45 Kbytes Page：5 Pages	Activepowerfactorcorrection	ARTESYN Artesyn Embedded Technologies	ARTESYN
NTS355	文件：891.45 Kbytes Page：5 Pages	Singlewirecurrentsharing	ARTESYN Artesyn Embedded Technologies	ARTESYN
OPA355	文件：538.07 Kbytes Page：18 Pages	200MHz,CMOSOPERATIONALAMPLIFIERWITHSHUTDOWN	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
OPA355	文件：329.84 Kbytes Page：15 Pages	3VVideoAmplifierwith6dBGainandFilterinSC70	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN

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