N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管 30V，1.6A，125mΩ

这些N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度、DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 此类器件特别适合笔记本电脑、便携电话、PCMICA卡等低电压应用及其他需要采用极小封装外形表面贴装封装、具有快速开关和低线内功率损耗的电池供电电路。 •1.6 A，30 V。 RDS(ON) = 0.125Ω @ VGS= 4.5 V。\n•专有封装设计使用铜引线框架，可提供出色的热和电气能力。\n•采用高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)。\n•出色的导通阻抗和最大的DC电流能力。\n•紧凑型工业标准SOT-23表面贴装封装。;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件：74.68 Kbytes 页数：6 Pages

Fairchild

仙童半导体

Neutral Grounding Resistor System , NGR SERIES – US

Description High-resistance grounding prevents many of the problems that are associated with ungrounded and solidly grounded electrical distribution and utilization systems. High-resistance grounding can limit point-of-fault damage, eliminate transient overvoltages, reduce the arc-flash hazar

文件：1.14916 Mbytes 页数：9 Pages

Littelfuse

力特

1/2 PRESS-FIT STRAIGHT LEAD DIODES

文件：198.67 Kbytes 页数：2 Pages

SHUNYE

顺烨电子

Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 30W @ 175MHz

Description: The NTE355 is designed for 12.5 Volt VHF large–signal amplifier applications required in military and industrial equipment operating to 250MHz. Features: ● Balanced Emitter Construction with Isothermal Resistor Design to Provide the Designer with the Optimum in Transistor Ruggednes

文件：20.21 Kbytes 页数：2 Pages

NTE