NDS355N数据手册ONSEMI中文资料规格书

描述 Description

这些N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度、DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 此类器件特别适合笔记本电脑、便携电话、PCMICA卡等低电压应用及其他需要采用极小封装外形表面贴装封装、具有快速开关和低线内功率损耗的电池供电电路。

特性 Features

•1.6 A，30 V。 RDS(ON) = 0.125Ω @ VGS= 4.5 V。
•专有封装设计使用铜引线框架，可提供出色的热和电气能力。
•采用高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)。
•出色的导通阻抗和最大的DC电流能力。
•紧凑型工业标准SOT-23表面贴装封装。

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.