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NDS0605数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

NDS0605

功能描述

P 沟道增强型场效应晶体管,-60V,-0.18A,5Ω

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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NDS0605规格书详情

描述 Description

这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产。 这一密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻,提供稳固和可靠的性能以及快速开关而定制的。 NDS0605 在需要高达0.18A直流电的大多数应用中可轻松使用,并且可提供高达1A的脉冲电流。 该产品特别适合需要低电流高边开关的低电压应用。

特性 Features

•-0.18 A, -60 V. RDS(ON) = 5 Ω @ VGS= -10 V.
•电压控制的P沟道小信号开关。
•高密度单元设计可实现极低的 RDS(ON)。
•高饱和电流。

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :NDS0605

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :-3

  • ID Max (A)

    :-0.18

  • PD Max (W)

    :0.36

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :7500

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :5000

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :1.8

  • Ciss Typ (pF)

    :79

  • Package Type

    :SOT-23-3

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