NDP7060数据手册ONSEMI中文资料规格书
NDP7060规格书详情
描述 Description
这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件特别适合需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力的汽车、DC/DC转换器、PWM电机控制和其他电池供电电路等低电压应用。
特性 Features
•75 A，60 V。 RDS(ON) = 0.013 Ω @ VGS= 10 V。
•在高温下额定的临界DC电气参数。
•耐用的内部源极-漏极二极管使得无需使用外部齐纳二极管瞬态抑制器。
•175°C最大结温额定值。
•采用高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)。
•TO-220和TO-263 (D2PAK)封装，适用于通孔和表面贴装应用。
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：NDP7060
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：60
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：75
- PD Max (W)
：115
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：13
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：3.7
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：100
- Ciss Typ (pF)
：2960
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
2023+ |
TO220 |
6893 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
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TO-220 |
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仙僮 |
TO-220 |
68500 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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TO220 |
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询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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TO220 |
1709 |
询价 | |||
ON |
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TO-220 |
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