NDP6060L数据手册ONSEMI中文资料规格书
NDP6060L规格书详情
描述 Description
这些逻辑电平N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件特别适合需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力的汽车、DC/DC转换器、PWM电机控制和其他电池供电电路等低电压应用。
特性 Features
•48A，60V。 RDS(ON) = 0.025Ω@ VGS=5V。
•低驱动要求使得能够直接从逻辑驱动器进行操作。 VGS(TH)< 2.0V。
•在高温下额定的临界DC电气参数。
•耐用的内部源极-漏极二极管使得无需使用外部齐纳二极管瞬态抑制器。
•175°C最大结温额定值。
•采用高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)。
•TO-220和TO-263 (D2PAK)封装，适用于通孔和表面贴装应用。
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：NDP6060L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：60
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：2
- ID Max (A)
：48
- PD Max (W)
：49
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：25
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：20
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：3.5
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：36
- Ciss Typ (pF)
：1630
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
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询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
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TO-220 |
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FAIRCHILD |
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TO-220 |
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23+ |
TO-220(TO-220-3) |
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FAIRCHILD |
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ON/安森美 |
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TO-220(TO-220-3) |
10000 |
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onsemi(安森美) |
20+ |
TO-220 |
50 |
询价 |
