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NDP6060中文资料N 沟道增强型场效应晶体管 60V,48A,25mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NDP6060

功能描述

N 沟道增强型场效应晶体管 60V,48A,25mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 13:40:00

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NDP6060规格书详情

描述 Description

这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高单元密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻,提供卓越的开关性能,以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件特别适合需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力的汽车、DC/DC转换器、PWM电机控制和其他电池供电电路等低电压应用。

特性 Features

•48A,60V。 RDS(ON) = 0.025Ω@ VGS=10V。
•在高温下额定的临界DC电气参数。
•耐用的内部源极-漏极二极管使得无需使用外部齐纳二极管瞬态抑制器。
•175°C最大结温额定值。
•采用高密度单元设计,可实现极低的RDS(ON)。
•TO-220和TO-263 (D2PAK)封装,适用于通孔和表面贴装应用。

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :NDP6060

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :48

  • PD Max (W)

    :100

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :25

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :39

  • Ciss Typ (pF)

    :1190

  • Package Type

    :TO-220-3

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