NDP6020P数据手册ONSEMI中文资料规格书
NDP6020P规格书详情
描述 Description
这些逻辑电平P沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件特别适合需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力的汽车、DC/DC转换器、PWM电机控制和其他电池供电电路等低电压应用。
特性 Features
•-24 A，-20 V。 RDS(ON) = 0.05 Ω @ VGS= -4.5 V，RDS(ON) = 0.07 Ω @ VGS= -2.7 V，RDS(ON) = 0.075 Ω @ VGS= -2.5 V。
•在高温下额定的临界DC电气参数。
•耐用的内部源极-漏极二极管使得无需使用外部齐纳二极管瞬态抑制器。
•175°C最大结温额定值。
•高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)。
•TO-220和TO-263 (D2PAK)封装，适用于通孔和表面贴装应用。
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：NDP6020P
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-20
- VGS Max (V)
：8
- VGS(th) Max (V)
：-1
- ID Max (A)
：-24
- PD Max (W)
：60
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：75
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：50
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：50
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：25
- Ciss Typ (pF)
：1590
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
国半 |
23+24 |
TO-220 |
59630 |
主营原装MOS,二三级管,肖特基,功率场效应管 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-220(TO-220-3) |
10000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
TO-220 |
65480 |
询价 | |||
FAIRCHI |
21+ |
TO-220 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
询价 | ||
FAIRCHI |
24+ |
TO-220 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-220(TO-220-3) |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
国半 |
TO-220 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-220 |
20300 |
ONSEMI/安森美原装特价NDP6020P即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ON(安森美) |
2447 |
TO-220(TO-220-3) |
105000 |
50个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
询价 |
