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NDS351N数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

NDS351N

功能描述

N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管,30V,1.1A,250mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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NDS351N规格书详情

描述 Description

这些N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管采用Fairchild专有的高单元密度、DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。 此类器件特别适合笔记本电脑、便携电话、PCMCIA卡等低电压应用及其他需要采用极小封装外形表面贴装封装、具有快速开关和低线内功率损耗的电池供电电路。

特性 Features

•1.1 A,30 V。 RDS(ON) = 0.25Ω @ VGS= 4.5 V。
•专有封装设计使用铜引线框架,可提供出色的热和电气能力。
•通态电阻RDS(ON)极低的高密度单元设计。
•出色的导通阻抗和最大的DC电流能力。
•紧凑型工业标准SOT-23表面贴装封装。

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :NDS351N

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2

  • ID Max (A)

    :1.1

  • PD Max (W)

    :0.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :250

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :160

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :3.5

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :2

  • Ciss Typ (pF)

    :140

  • Package Type

    :SOT-23-3

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