NDS331N中文资料N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管，20V，1.3A，0.21Ω数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

这些N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度、DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 此类器件特别适合笔记本电脑、便携电话、PCMCIA卡等低电压应用及其他需要采用极小封装外形表面贴装封装、具有快速开关和低线内功率损耗的电池供电电路。

特性 Features

•1.3 A，20 V。 RDS(ON) = 0.21 Ω @ VGS = 2.7 V RDS(ON) = 0.16 Ω @ VGS = 4.5 V
•采用专有SuperSOT™-3技术设计的工业标准SOT-23表面贴装封装，可实现卓越的热性能和电气性能
•高密度设计可实现极低的RDS(ON)
•出色的导通阻抗和最大DC电流能力

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.