NDS0610中文资料P 沟道增强型场效应晶体管，-60V，-0.12A，10Ω数据手册ONSEMI规格书
NDS0610规格书详情
描述 Description
此P沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。 这一密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻，提供稳固和可靠的性能以及快速开关而定制的。 NDS0610在要求DC高达120mA的多数应用中可轻松使用，并且可提供高达1A的电流。 该产品特别适合需要低电流高边开关的低电压应用。
特性 Features
•-0.12 A, -60 V. RDS(ON) = 10 Ω @ VGS = -10 V RDS(ON) = 20 Ω @ VGS = -4.5 V
•电压控制P沟道小信号开关
•高密度设计可实现低RDS(ON)
•高饱和电流
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：NDS0610
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-60
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：-3.5
- ID Max (A)
：-0.12
- PD Max (W)
：40
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：20000
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：10000
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：11
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：1.8
- Ciss Typ (pF)
：79
- Package Type
：SOT-23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
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SOT23 |
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