P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast swi

文件：553.28 Kbytes 页数：8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

丝印：610T；Package：SOT-23；1.7Q ,60V P-Channel MOSFET

Product Summary @ Vdss=60V ® ID=05A @ Rbps(oN)=1.7Q@VGs=-10V

文件：2.51294 Mbytes 页数：5 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

丝印：610；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件：463.16 Kbytes 页数：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

P 沟道增强型场效应晶体管，-60V，-0.12A，10Ω

此P沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。 这一密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻，提供稳固和可靠的性能以及快速开关而定制的。 NDS0610在要求DC高达120mA的多数应用中可轻松使用，并且可提供高达1A的电流。 该产品特别适合需要低电流高边开关的低电压应用。 •-0.12 A, -60 V. RDS(ON) = 10 Ω @ VGS = -10 V RDS(ON) = 20 Ω @ VGS = -4.5 V\n•电压控制P沟道小信号开关\n•高密度设计可实现低RDS(ON)\n•高饱和电流;

ONSEMI

安森美半导体

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件：986.76 Kbytes 页数：7 Pages

VBSEMI

微碧半导体