NDS351N

N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管，30V，1.1A，250mΩ; •1.1 A，30 V。 RDS(ON) = 0.25Ω @ VGS= 4.5 V。\n•专有封装设计使用铜引线框架，可提供出色的热和电气能力。\n•通态电阻RDS(ON)极低的高密度单元设计。\n•出色的导通阻抗和最大的DC电流能力。\n•紧凑型工业标准SOT-23表面贴装封装。\n;

这些N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管采用Fairchild专有的高单元密度、DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。 此类器件特别适合笔记本电脑、便携电话、PCMCIA卡等低电压应用及其他需要采用极小封装外形表面贴装封装、具有快速开关和低线内功率损耗的电池供电电路。

NDS351N

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit

NDS351N-TP

丝印：351AN；Package：SOT23；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features ®Vos=30Vio=2A Rosin

NP351

1/2PRESS-FITSTRAIGHTLEADDIODES

NTE351

SiliconNPNTransistorRFPowerAmp,Driver

Description: TheNTE351isasiliconNPNtransistorinaT72Htypepackagedesignedprimarilyforusein12.5VVHFlarge–signalpoweramplifierapplicationsrequiredincommercialandindustrialequipmentto300MHz. Features: ●Specified12.5V,175MHzCharacteristics:OutputPower=25WMinimum

OMT351

FlangeMounting/PanelMountingTypes