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NDS351N	文件：75.67 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
351	文件：203.2 Kbytes Page：1 Pages	MINIATURE,IN-LINE,COAXIAL,KCONNECTORS	FILTRONICFiltronic Compound Semiconductors Filtronic Compound Semiconductors
351	文件：145.35 Kbytes Page：1 Pages	ROTARYJOINTMINIATURE,IN-LINE,COAXIAL,KCONNECTORS	APITECH API Technologies Corp
351A	文件：20.74 Kbytes Page：1 Pages	RoundHeadCentrePunches,100mm4inlong.	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
351B	文件：20.74 Kbytes Page：1 Pages	RoundHeadCentrePunches,100mm4inlong.	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
351C	文件：20.74 Kbytes Page：1 Pages	RoundHeadCentrePunches,100mm4inlong.	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
351D	文件：20.74 Kbytes Page：1 Pages	RoundHeadCentrePunches,100mm4inlong.	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
351HE	文件：376.74 Kbytes Page：5 Pages	SingleTurnBushingMountHallEffectSensorinSize09(22.2mm) FEATURES •Accuratelinearitydownto:±0.5 •Allelectricalanglesavailableupto:360° (nodeadband) •Longlife:greaterthan10Mcycles •Noncontactingtechnology:Halleffect •Modeldedicatedtoallapplicationsinharshenvironments •Materialcategorization:fordefinitionsof	VishayVishay Siliconix 威世科技
351HE	文件：378.91 Kbytes Page：5 Pages	SingleTurnBushingMountHallEffectSensorinSize09(22.2mm)	VishayVishay Siliconix 威世科技
351NU	文件：548.22 Kbytes Page：5 Pages	POWERDIODE	IRI IRI
351RU	文件：548.22 Kbytes Page：5 Pages	POWERDIODE	IRI IRI
ADCMP351	文件：89.46 Kbytes Page：4 Pages	ComparatorandReferenceCircuits GENERALDESCRIPTION TheADCMP350/ADCMP354/ADCMP356arecomparatorandreferencecircuitssuitableforuseingeneral-purposeapplications. FEATURES Comparatorswith0.6Von-chipreferences Outputstages Open-drainactivelow(ADCMP350) Open-drainactivehigh(AD	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADCMP351AKS	文件：89.46 Kbytes Page：4 Pages	ComparatorandReferenceCircuits GENERALDESCRIPTION TheADCMP350/ADCMP354/ADCMP356arecomparatorandreferencecircuitssuitableforuseingeneral-purposeapplications. FEATURES Comparatorswith0.6Von-chipreferences Outputstages Open-drainactivelow(ADCMP350) Open-drainactivehigh(AD	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AI351	文件：915.07 Kbytes Page：25 Pages	a480KpixelsCCDareasensorforNTSC1/3inchvideocameras	A1PROSA1 PROs co., Ltd. 韩国A1 PROS电子韩国A1 PROS电子有限公司
AIZ-351	文件：76.32 Kbytes Page：2 Pages	AIZSeriesPassive10-TapDIP/SMDDelayModules	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.
AM351	文件：153.16 Kbytes Page：2 Pages	PRESSFITAUTOMOTIVERECTIFIER	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司
AMZ-351	文件：42.42 Kbytes Page：1 Pages	AMZ&AMYSeriesPassive5-TapDIP/SMDDelayModules	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.
AR351	文件：157.51 Kbytes Page：2 Pages	35.0AMPSILICONRECTIFIERS VOLTAGERANGE50to1000VoltsCURRENT35.0Ampere FEATURES Lowforwardvoltagedrop Lowleakagecurrent Highreliability Highcurrentcapability	UNIOHMUniohm 台湾厚声
AR351	文件：38.85 Kbytes Page：2 Pages	BUTTONAUTOMOTIVERECTIFIER VOLTAGERANGE50to600Volts CURRENT35.0Amperes FEATURES ·LowLeakage ·Lowforwardvoltagedrop ·Highcurrentcapability ·Highforwardsurgecurrentcapacity MECHANICALDATA ·Case:transfermoldedplastic ·Epoxy:UL94V-0rateflameretardant ·Lead:Platedslug,solderableper	MIC MIC GROUP RECTIFIERS
AR351	文件：134.23 Kbytes Page：4 Pages	35AAutomotiveRectifiers 35AAutomotiveRectifiers Features •Lowleakage •Lowforwardvoltagedrop •Highcurrentcapability •Highforwardsurgecurrentcapacity •RoHSCompliance	TAITRON TAITRON

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详细参数

型号：
NDS351N
功能描述：
MOSFET DISC BY MFG 2/02
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	NDS351N	ON	19+	SOT-23	10000		询价
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更多NDS351N供应商更新时间2024-4-26 15:08:00

详细参数

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