Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. Thes

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

单 N 沟道，2.5V 指定，PowerTrench® MOSFET，20V，7.4A，22mΩ

此N沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 此类器件设计以使用极小的封装尺寸提供出色的功耗。 •7.4 A, 20 V\n•RDS(ON) = 0.022 Ω @ VGS = 4.5 V\n•RDS(ON) = 0.028 Ω @ VGS= 2.7 V。\n•快速开关速度\n•低栅极电荷（典型值11 nC）。\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)\n•广泛使用的表面贴装封装中的高功率和高电流处理能力;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

50 Ohm N Isolator Operating From 380 MHz to 460 MHz And 1000 Watts

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PASTERNACK

2.4GHZ CMOS WLAN / BT DUAL-MODE RFEIC WITH PA, LNA & SP3T

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SKYWORKS

思佳讯

BATTERY BACKUP SWITCHING IC

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SII

精工爱普生