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NDS8425	文件：264.69 Kbytes Page：10 Pages	Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandprovidesuperiorswitchingperformance.Thes	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDS8425-NL	文件：1.08625 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PE8425	文件：162.43 Kbytes Page：2 Pages	50OhmNIsolatorOperatingFrom380MHzto460MHzAnd1000Watts	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
RFX8425	文件：555.76 Kbytes Page：5 Pages	2.4GHZCMOSWLAN/BTDUAL-MODERFEICWITHPA,LNA&SP3T	SKYWORKSSkyworks Solutions Inc. 思佳讯美国思佳讯公司	SKYWORKS
S8425	文件：2.34344 Mbytes Page：45 Pages	BATTERYBACKUPSWITCHINGIC	SIISeiko Instruments Inc 精工爱普生精工爱普生株式会社	SII
S-8425AAAFT-TB-G	文件：2.34344 Mbytes Page：45 Pages	BATTERYBACKUPSWITCHINGIC	SIISeiko Instruments Inc 精工爱普生精工爱普生株式会社	SII
S-8425AAAFT-TB-x	文件：2.34344 Mbytes Page：45 Pages	BATTERYBACKUPSWITCHINGIC	SIISeiko Instruments Inc 精工爱普生精工爱普生株式会社	SII
S-8425AAAFT-TB-X	文件：2.34344 Mbytes Page：45 Pages	BATTERYBACKUPSWITCHINGIC	SIISeiko Instruments Inc 精工爱普生精工爱普生株式会社	SII
S-8425AAAPA-TF-G	文件：2.34344 Mbytes Page：45 Pages	BATTERYBACKUPSWITCHINGIC	SIISeiko Instruments Inc 精工爱普生精工爱普生株式会社	SII
S-8425AAAPA-TF-G	文件：2.34344 Mbytes Page：45 Pages	BATTERYBACKUPSWITCHINGIC	SIISeiko Instruments Inc 精工爱普生精工爱普生株式会社	SII

详细参数

型号：
NDS8425
功能描述：
MOSFET N-Channel MOSFET 2.5V Specified
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多NDS8425供应商更新时间2025-5-29 15:23:00

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