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IXTQ22N60P	文件：320.27 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode 文件：320.27 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTQ22N60P	文件：300.8 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：300.8 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXTQ22N60P	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道标准MOSFET • 国际标准包装 \n• 动态dv/dt评级\n• 较低的RDS(on)和Qg\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXTV22N60P	文件：293.87 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：293.87 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXTV22N60P	文件：320.27 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode 文件：320.27 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTV22N60PS	文件：320.27 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode 文件：320.27 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

技术参数

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
0.35
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
22
Gate Charge (nC)：
62
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
0.31
Configuration：
Single
Package Type：
TO-3P
Typical Reverse Recovery Time (ns)：
500
Power Dissipation (W)：
400
Sample Request：
No
Check Stock：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IXTQ22N60P供应商更新时间2025-10-4 16:12:00

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