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IXTQ160N075T	文件：301.38 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTQ160N075T	文件：189.93 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTA160N075T	文件：299.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTA160N075T	文件：179.98 Kbytes Page：5 Pages	PreliminaryTechnicalInformationTrenchMVTMPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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IXTH160N075T	文件：383.48 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTP160N075T	文件：295.24 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTP160N075T	文件：179.98 Kbytes Page：5 Pages	PreliminaryTechnicalInformationTrenchMVTMPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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IXUC160N075	文件：55.24 Kbytes Page：2 Pages	TrenchPowerMOSFET Features •SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation •TrenchMOSFET -verylowRDS(on) -fastswitching -usableintrinsicreversediode •Lowdraintotabcapacitance(	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

详细参数

型号：
IXTQ160N075T
功能描述：
MOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中科航电(深圳)半导体技术有限公司	IXTQ160N075T	IXYS	19+	TO-3P-3	56800	SC-65-3	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	IXTQ160N075T	IXYS	20+	TO-3P	36900	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市科雨电子有限公司	IXTQ160N075T	IXYS	1503+	TO-3P	3000	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
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更多IXTQ160N075T供应商更新时间2024-5-16 14:12:00

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