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IXTQ140N10P	文件：170.2 Kbytes Page：5 Pages	PolarHT?? Power MOSFET 文件：170.2 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTQ140N10P	文件：301.2 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：301.2 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXTQ140N10P	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道标准 Polar™ MOSFET • 国际标准包装 \n• 动态dv/dt评级\n• 较低的RDS(on)和Qg\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXTT140N10P	文件：170.2 Kbytes Page：5 Pages	PolarHT?? Power MOSFET 文件：170.2 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
MCP140N10Y	文件：748.11 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：748.11 Kbytes 页数：5 Pages	MCC	MCC
RU140N10R	文件：455.35 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel Advanced Power MOSFET 文件：455.35 Kbytes 页数：11 Pages	RUICHIPS 锐骏半导体	RUICHIPS

详细参数

型号：
IXTQ140N10P
功能描述：
MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IXTQ140N10P供应商更新时间2025-10-3 15:30:00

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