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MCP140N10Y

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:748.11 Kbytes 页数:5 Pages

MCC

MCP140N10Y

MOSFETS

MCC

美微科

RU140N10R

N-Channel Advanced Power MOSFET

文件:455.35 Kbytes 页数:11 Pages

RUICHIPS

锐骏半导体

RU140N10R

N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology

文件:1.59965 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

TMP140N10A

100V N-Channel Trench MOSFET

文件:912.76 Kbytes 页数:7 Pages

WUMC

紫光国微

技术参数

  • Polarity:

     N-Channel

  • Drain-Source Voltage VDS (V):

     100

  • Gate-Source Voltage VGS(V):

     ±20

  • Drain Current IDMAX (A):

     140

  • Drain-Source On Resistance MAX(Ω):

     0.0039

  • Input Capacitance CISSMAX (pF):

     6920

  • Gate Threshold Voltage VGS(th)-Min:

     2.0

  • Gate Threshold Voltage VGS(th)-Max:

     4.0

  • Package Qty:

     Tube

  • FIT:

     30; Tj=100℃

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多MCP140N10Y供应商 更新时间2025-10-4 11:10:00