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IXTQ160N10T	文件：192.48 Kbytes Page：5 Pages	Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET 文件：192.48 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTQ160N10T	文件：301.21 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：301.21 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXTQ160N10T	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道沟槽栅 Gen1 MOSFET • 国际标准包装\n• 低RDS(ON)\n• 雪崩评级\n• 高电流处理能力\n• 快速本征整流器;	Littelfuse 力特	Littelfuse
TMP160N10A	文件：912.63 Kbytes Page：7 Pages	100V N-Channel Trench MOSFET 文件：912.63 Kbytes 页数：7 Pages	WUMC 紫光国微	WUMC
TSM160N10	文件：486.78 Kbytes Page：6 Pages	100V N-Channel Power MOSFET 文件：486.78 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM160N10LCR	文件：308.54 Kbytes Page：6 Pages	Low gate charge for fast power switching 文件：308.54 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC

详细参数

型号：
IXTQ160N10T
功能描述：
MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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