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TSM160N10LCR	文件：308.54 Kbytes Page：6 Pages	Low gate charge for fast power switching 文件：308.54 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM160N10LCR	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V, 46A, Single N-Channel Power MOSFET	TSC 台湾半导体	TSC
VSH160N10MS	文件：459.39 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Low On-Resistance • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converters, High Speed Switching 文件：459.39 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VSI160N10MS	文件：1.86795 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.86795 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER

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更多TSM160N10LCR供应商更新时间2025-10-6 14:01:00