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VSI160N10MS

N-Channel Mosfet

• N-Channel\n• Enhancement mode\n• Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V\n• Fast Switching\n• High conversion efficiency \n• Pb-free lead plating, RoHS compliant;

Vergiga

威兆半导体

VSI160N10MS

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.86795 Mbytes 页数:4 Pages

DOINGTER

杜因特

160N10

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

文件:1.79755 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

FIR160N10PG

N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet

文件:4.148479 Mbytes 页数:7 Pages

FOSTER

福斯特半导体

FIR160N10RG

N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet

文件:4.17166 Mbytes 页数:7 Pages

FOSTER

福斯特半导体

技术参数

  • Type:

    Single-N

  • ESD:

    NO

  • Package:

    TO-251SL

  • BVDSS[V]:

    100

  • VGS Max[V]:

    20

  • VTH Typ[V]:

    2.0

  • RDS(ON) Max 10V:

    160.0

  • RDS(ON) Max 4.5V:

    180.0

  • ID(A)@25℃:

    8.0

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VANGUARD
25+
SOP8
188600
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询
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NS/国半
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PLCC28
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更多VSI160N10MS供应商 更新时间2026-1-25 9:02:00