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160N10	文件：1.79755 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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IXTH160N10T	文件：383.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTP160N10T	文件：295.07 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTP160N10T	文件：180.6 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMVPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTQ160N10T	文件：192.48 Kbytes Page：5 Pages	PreliminaryTechnicalInformationTrenchMVTMPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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TMP160N10A	文件：912.63 Kbytes Page：7 Pages	100VN-ChannelTrenchMOSFET	WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光微无锡紫光微电子有限公司	WUMC
TSM160N10	文件：486.78 Kbytes Page：6 Pages	100VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM160N10LCR	文件：308.54 Kbytes Page：6 Pages	Lowgatechargeforfastpowerswitching	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
VSH160N10MS	文件：459.39 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •LowOn-Resistance •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters,HighSpeedSwitching	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VSI160N10MS	文件：1.86795 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER

详细参数

型号：
160N10
功能描述：
D-Sub工具与硬件
RoHS：
否
制造商：
3M Electronic Solutions Division
产品：
Accessories
类型：
Strain Relief, 36 Position
用于：
Wiremount D-Sub Connectors

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更多160N10供应商更新时间2024-5-1 11:36:00

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