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FIR160N10RG

丝印:FIR160N10R;Package:TO-263;N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet

文件:4.17166 Mbytes 页数:7 Pages

FOSTER

福斯特半导体

FIR160N10RG

功率MOS/中低压功率MOS

First

福斯特

IXTA160N10T

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:299.23 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IXTA160N10T

TrenchMV Power MOSFET

文件:180.6 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTC160N10T

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

文件:193.3 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

技术参数

  • ID [A]:

    160

  • VGS [±V]:

    ±20

  • VGS(th) [V]:

    2~4

  • RDS(on) [MΩ]:

    5

  • Package:

    TO-263

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更多FIR160N10RG供应商 更新时间2026-2-3 11:10:00