N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXYS

艾赛斯

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

N-Channel: Trench-Gate Power MOSFETs with HiPerFET™ Options

·Trench Gate MOSFET Technology\n·Break down voltages VDSS: 36V to 300V\n·Current ratings ID25: 12A to 660A\n·Ultra-low on-state resistance RDS(on)\n·Superior avalanche ruggedness\n·Junction temperature TJ up to 175°C\n·International standard packages;

Littelfuse

力特

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET

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艾赛斯

TrenchMV Power MOSFET

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IXYS

艾赛斯