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VSH160N10MS

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Low On-Resistance • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converters, High Speed Switching

文件:459.39 Kbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

VSH160N10MS

N-Channel MOSFET

• N-Channel,5V Logic Level Control\n• Enhancement mode \n• Fast Switching \n• High Effective \n• Pb-free lead plating; RoHS compliant; Hg-Free;

Vergiga

威兆半导体

VSI160N10MS

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.86795 Mbytes 页数:4 Pages

DOINGTER

杜因特

160N10

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

文件:1.79755 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

FIR160N10PG

N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet

文件:4.148479 Mbytes 页数:7 Pages

FOSTER

福斯特半导体

FIR160N10RG

N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet

文件:4.17166 Mbytes 页数:7 Pages

FOSTER

福斯特半导体

技术参数

  • Type:

    Single-N

  • ESD:

    NO

  • Package:

    SOT23-6L

  • BVDSS[V]:

    100

  • VGS Max[V]:

    20

  • VTH Typ[V]:

    1.7

  • RDS(ON) Max 10V:

    168.0

  • RDS(ON) Max 4.5V:

    180.0

  • ID(A)@25℃:

    2.2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NK/南科功率
2025+
SOT23-6L
986966
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更多VSH160N10MS供应商 更新时间2026-1-29 14:01:00