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TMP160N10A

丝印:160N10A;Package:TO-220;100V N-Channel Trench MOSFET

文件:912.63 Kbytes 页数:7 Pages

WUMC

紫光国微

TMP160N10A

Trench MOS

紫光国微

TSM160N10

100V N-Channel Power MOSFET

文件:486.78 Kbytes 页数:6 Pages

TSC

台湾半导体

TSM160N10LCR

Low gate charge for fast power switching

文件:308.54 Kbytes 页数:6 Pages

TSC

台湾半导体

VSH160N10MS

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Low On-Resistance • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converters, High Speed Switching

文件:459.39 Kbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

技术参数

  • ID(A):

    150

  • RDS(ON) (mΩ max)* at VGS=10v:

    6.5

  • V(GS)th-min(V):

    2

  • V(GS)th-max(V):

    4

  • Ciss(pF):

    9000

  • Qg(nC):

    180

  • Package:

    TO-220

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
无锡紫光微
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更多TMP160N10A供应商 更新时间2025-10-4 15:01:00