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TSM160N10

100V N-Channel Power MOSFET

文件:486.78 Kbytes 页数:6 Pages

TSC

台湾半导体

TSM160N10CZC0

100V N-Channel Power MOSFET

文件:486.78 Kbytes 页数:6 Pages

TSC

台湾半导体

TSM160N10LCR

Low gate charge for fast power switching

文件:308.54 Kbytes 页数:6 Pages

TSC

台湾半导体

TSM160N10CZ

100V, 160A, Single N-Channel Power MOSFET

TSC

台湾半导体

TSM160N10LCR

100V, 46A, Single N-Channel Power MOSFET

TSC

台湾半导体

技术参数

  • Type:

    N-Channel

  • Technology:

    Trench

  • Configuration:

    Single

  • Status:

    NRND

  • AEC-Q:

    No

  • VDS (V):

    100

  • VGS ±(V):

    20

  • ID Max. (A):

    160

  • TJ Max. (°C):

    150

  • RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ):

    5.5

  • RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ):

    4.5

  • Qg (nC) @ 10V:

    154

  • Qgd (nC):

    40

  • Qgs (nC):

    35

  • Ciss (pF):

    9840

  • Coss (pF):

    750

  • Crss (pF):

    260

  • VGS(th) Max. (V):

    4

  • VGS(th) Min. (V):

    2

  • VGS(th) Typ. (V):

    3

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更多TSM160N10供应商 更新时间2025-10-7 16:50:00