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IXTQ18N60P	文件：176.7 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features • International standard packages • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance - easy to drive and to protect Advantages • Easy to mount • Space savings • High power density 文件：176.7 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTQ18N60P	文件：301.98 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：301.98 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXTQ18N60P	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道标准MOSFET • 国际标准包装 \n• 动态dv/dt评级\n• 较低的RDS(on)和Qg\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXTV18N60P	文件：295.05 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：295.05 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXTV18N60P	文件：176.7 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features • International standard packages • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance - easy to drive and to protect Advantages • Easy to mount • Space savings • High power density 文件：176.7 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTV18N60PS	文件：176.7 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features • International standard packages • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance - easy to drive and to protect Advantages • Easy to mount • Space savings • High power density 文件：176.7 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

技术参数

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
0.42
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
18
Gate Charge (nC)：
49
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
0.35
Configuration：
Single
Package Type：
TO-3P
Typical Reverse Recovery Time (ns)：
500
Power Dissipation (W)：
360
Sample Request：
No
Check Stock：
Yes

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