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IXTQ18N60P	文件：176.7 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance-easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTQ18N60P	文件：301.98 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
18N60	文件：143.41 Kbytes Page：3 Pages	POLARHVHIPERFETPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC18N60usesUTC’sadvancedproprietary,planarstripe,DMOStechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithlowgatevoltages.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES RDS(ON)≤0.5Ω@VGS=10V,ID=9A Ul	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
18N60	文件：147.42 Kbytes Page：3 Pages	600VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
18N60	文件：61.05 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching •FEATURES •DrainCurrentID=18A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage:VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=0.4Ω(Max) •FastSwitching •APPLICATIONS •Switchmodepowersupply.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
18N60	文件：325.33 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
18N60	文件：147.67 Kbytes Page：3 Pages	18A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
IXFA18N60X	文件：300.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFA18N60X	文件：189.15 Kbytes Page：6 Pages	PreliminaryTechnicalInformation	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFH18N60P	文件：337.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH18N60P	文件：171.16 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeFastIntrinsicDiodeAvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance-easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFH18N60X	文件：384.12 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH18N60X	文件：189.15 Kbytes Page：6 Pages	PreliminaryTechnicalInformation	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFP18N60X	文件：295.88 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFP18N60X	文件：189.15 Kbytes Page：6 Pages	PreliminaryTechnicalInformation	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFV18N60P	文件：171.16 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeFastIntrinsicDiodeAvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance-easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFV18N60PS	文件：171.16 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeFastIntrinsicDiodeAvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance-easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTP18N60PM	文件：294.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTP18N60PM	文件：121.3 Kbytes Page：4 Pages	PolarPowerMOSFET PolarPowerMOSFET(ElectricallyIsolatedTab) N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •PlasticOvermoldedTabforElectricalIsolation •InternationalStandardPackage •LowRDS(on)andQG •AvalancheRated •LowPackageInductance •FastIntrinsicRectifier Advantages •H	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTV18N60P	文件：176.7 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance-easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

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更多IXTQ18N60P供应商更新时间2024-6-17 15:20:00

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