首页 >IXTQ120N15P>规格书列表
| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
IXTQ120N15P | N-Channel Enhancement Mode 文件：177.4 Kbytes 页数：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | |
IXTQ120N15P | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：300.74 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
IXTQ120N15P | N通道标准 Polar™ MOSFET • 国际标准包装 \n• 动态dv/dt评级\n• 较低的RDS(on)和Qg\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感; | Littelfuse 力特 | Littelfuse | |
N-Channel Enhancement Mode 文件：177.4 Kbytes 页数：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | ||
N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 120A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 150V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 16mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Switch Mode Power Supply (SMPS) · Space Savings · High Power Density · Easy to Mount 文件：353.3 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
N-Channel Advanced Power MOSFET 文件：486.82 Kbytes 页数：11 Pages | RUICHIPS 锐骏半导体 | RUICHIPS |
详细参数
- 型号：
IXTQ120N15P
- 功能描述：
MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
24+ |
TO-3P |
8866 |
询价 | |||
IXYS |
20+ |
TO-3P |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
IXYS |
1931+ |
N/A |
18 |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
询价 | ||
IXYS |
25+ |
TO-3P |
326 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-3P |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
NA |
18 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
21+ |
TO-3P |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
TO3P3 SC653 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS |
2022+ |
TO-3P-3,SC-65-3 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
询价 |
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- SRF1280-1R0Y
- TA35-C324F100C0
- LTC4364CMS-2#PBF
- LTC4364IDE-1#PBF
