isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 1500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =7.3Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

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