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STW3N150	文件：677.14 Kbytes Page：22 Pages	N-channel 1500 V, 2.5 A, 6 Ω typ., PowerMESH Power MOSFETs in TO-3PF, H2PAK-2, TO-220 and TO247 packages Features •100avalanchetested •IntrinsiccapacitancesandQgminimized •Highspeedswitching •FullyisolatedTO-3PFplasticpackage,creepagedistancepathis5.4mm(typ.) Applications •Switchingapplications Description ThesePowerMOSFETsaredesignedusingtheSTMicroelectron	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STW3N150	文件：484.07 Kbytes Page：16 Pages	N-channel 1500 V, 6 廓, 2.5 A, PowerMESH??Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STW3N150	文件：765.91 Kbytes Page：15 Pages	N-channel 1500 V, 6 廓, 2.5 A, PowerMESH??Power MOSFET in TO-220, TO-247, TO-3PF	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STW3N150	文件：347.91 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
3N150S	文件：306.9 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
HM3N150A	文件：364.03 Kbytes Page：6 Pages	Powerswitchcircuitofadaptorandcharger.	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司
HM3N150F	文件：427.84 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancedVDMOSFETs	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司
ISH3N150	文件：299.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ·FEATURES ·DrainCurrent–ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS:1500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-ResistanceRDS(on):	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXTA3N150HV	文件：155.58 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXTH3N150	文件：371.65 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXTH3N150	文件：113.25 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementMode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXTJ3N150	文件：165.56 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXTQ3N150M	文件：180.74 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
STFV3N150	文件：484.07 Kbytes Page：16 Pages	N-channel1500V,6廓,2.5A,PowerMESH??PowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STFW3N150	文件：484.07 Kbytes Page：16 Pages	N-channel1500V,6廓,2.5A,PowerMESH??PowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STFW3N150	文件：765.91 Kbytes Page：15 Pages	N-channel1500V,6廓,2.5A,PowerMESH??PowerMOSFETinTO-220,TO-247,TO-3PF	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STFW3N150	文件：347.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=2.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=9Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Switchingpower	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
STFW3N150	文件：677.14 Kbytes Page：22 Pages	N-channel1500V,2.5A,6Ωtyp.,PowerMESHPowerMOSFETsinTO-3PF,H2PAK-2,TO-220andTO247packages Features •100avalanchetested •IntrinsiccapacitancesandQgminimized •Highspeedswitching •FullyisolatedTO-3PFplasticpackage,creepagedistancepathis5.4mm(typ.) Applications •Switchingapplications Description ThesePowerMOSFETsaredesignedusingtheSTMicroelectron	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STP3N150	文件：677.14 Kbytes Page：22 Pages	N-channel1500V,2.5A,6Ωtyp.,PowerMESHPowerMOSFETsinTO-3PF,H2PAK-2,TO-220andTO247packages Features •100avalanchetested •IntrinsiccapacitancesandQgminimized •Highspeedswitching •FullyisolatedTO-3PFplasticpackage,creepagedistancepathis5.4mm(typ.) Applications •Switchingapplications Description ThesePowerMOSFETsaredesignedusingtheSTMicroelectron	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
STP3N150	文件：765.91 Kbytes Page：15 Pages	N-channel1500V,6廓,2.5A,PowerMESH??PowerMOSFETinTO-220,TO-247,TO-3PF	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团

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详细参数

型号：
STW3N150
功能描述：
MOSFET 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中科国际电子(深圳)有限公司	STW3N150	ST/意法	19+	TO-247	6000	全新原装现货,特价出售	询价
深圳市嘉瑞格电子有限公司	STW3N150	ST	23+	TO-247-3	1000	全新/正品	询价
深圳市金芯阳科技有限公司	STW3N150	STM	15+	原厂原装	4830	进口原装现货假一赔十	询价
深圳市朱博士电子科技有限公司	STW3N150	STMICRO	2305+	原厂封装	8900	15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83267371邹小姐	询价
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深圳市讯顺达科技有限公司	STW3N150	ST	21+	TO-247	1800	全新原装公司现货	询价
深圳市昂芯微科技有限公司	STW3N150	ST	23+	TO247	6996	只做原装正品现货	询价
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深圳兆威电子有限公司	STW3N150	ST/意法	23+	TO-247	90000	只做原厂渠道价格优势可提供技术支持	询价
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更多STW3N150供应商更新时间2024-4-27 14:10:00

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