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IXTK102N30P	文件：224.14 Kbytes Page：5 Pages	PolarHT Power MOSFET PolarHT™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTK102N30P	文件：194.87 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFK102N30P	文件：328.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=102A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=33mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFK102N30P	文件：138.38 Kbytes Page：2 Pages	PolarHTHiPerFETPowerMOSFET PolarHT™HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode FastIntrinsicDiode AvalancheRated Features •Internationalstandardpackage •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFN102N30P	文件：97.32 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET PolarHV™HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features •Internationalstandardpackage •EncapsulatingepoxymeetsUL94V-0,flammabilityclassification •miniBLOCwithAluminiumnitrideisolation •Fastrecoverydiode •UnclampedInducti	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFR102N30	文件：308.79 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=36mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFR102N30P	文件：157.37 Kbytes Page：5 Pages	PolarHTHiPerFETPowerMOSFET PolarHT™HiPerFETPowerMOSFET(ElectricallyIsolatedBackSurface) N-ChannelEnhancementMode FastIntrinsicDiodeAvalancheRated Features •SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation •Intern	IXYS IXYS Corporation	IXYS

详细参数

型号：
IXTK102N30P
功能描述：
MOSFET 102 Amps 300V 0.033 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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