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IXTN60N50L2

N-Channel MOSFET

DESCRIPTION ·Drain Current -ID= 53A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.1Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS ·DC-DC converter ·Battery Chargers ·High speed power switch

文件:562.77 Kbytes 页数:3 Pages

ISC

无锡固电

IXTN60N50L2

N-Channel Enhancement Mode

文件:135.44 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTN60N50L2

N-Channel Power MOSFET

文件:139.17 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTN60N50L2

N通道线性MOSFET

• 专为线性操作设计\n• 75°C条件下FBSOA得到保证\n• 低导通电阻RDS(on)\n• 雪崩评级\n• 国际标准包装\n• 拥有UL 94 V-0易燃性认证 成型环氧树脂;

Littelfuse

力特

IXTN60N50L2_V01

N-Channel Power MOSFET

文件:139.17 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

详细参数

  • 型号:

    IXTN60N50L2

  • 功能描述:

    MOSFET 60 Amps 500V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS
19+/20+
SOT-227B
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Littelfuse/IXYS
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德国IXYS艾塞斯
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更多IXTN60N50L2供应商 更新时间2025-12-1 14:46:00