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IXTP140P05T	文件：222.8 Kbytes Page：6 Pages	TrenchP Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TrenchP™PowerMOSFETs P-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •InternationalStandardPackages •AvalancheRated •ExtendedFBSOA •FastIntrinsicDiode •LowRDS(ON)andQG Advantages •EasytoMount •SpaceSavings •HighPowerDensity Applications •High-SideSwitchi	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXTA140P05T	文件：347.63 Kbytes Page：2 Pages	P-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-140A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9mΩ(Max)@VGS=-10V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·AutomaticTestEquipment ·High-SideSwitching ·BatteryChargers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTH140P05T	文件：222.8 Kbytes Page：6 Pages	TrenchPPowerMOSFETsP-ChannelEnhancementModeAvalancheRated TrenchP™PowerMOSFETs P-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •InternationalStandardPackages •AvalancheRated •ExtendedFBSOA •FastIntrinsicDiode •LowRDS(ON)andQG Advantages •EasytoMount •SpaceSavings •HighPowerDensity Applications •High-SideSwitchi	IXYS IXYS Corporation	IXYS

详细参数

型号：
IXTP140P05T
功能描述：
MOSFET -140 Amps -50V 0.008 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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