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IXTP140P05T	文件：222.8 Kbytes Page：6 Pages	TrenchP Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TrenchP™ Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features • International Standard Packages • Avalanche Rated • Extended FBSOA • Fast Intrinsic Diode • Low RDS(ON) and QG Advantages • Easy to Mount • Space Savings • High Power Density Applications • High-Side Switchi 文件：222.8 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTP140P05T	文件：300 bytes Page：1 Pages	P通道MOSFET • 快速本征二极管\n• 较低的Qg和RDSon\n• 雪崩评级\n• 加大的FBSOA\n• 国际标准包装;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXTA140P05T	文件：222.8 Kbytes Page：6 Pages	TrenchP Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TrenchP™ Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features • International Standard Packages • Avalanche Rated • Extended FBSOA • Fast Intrinsic Diode • Low RDS(ON) and QG Advantages • Easy to Mount • Space Savings • High Power Density Applications • High-Side Switchi 文件：222.8 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTA140P05T	文件：347.63 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= -140A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -50V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 9mΩ(Max)@VGS= -10V APPLICATIONS · DC-DC Converters · Automatic Test Equipment · High-Side Switching · Battery Chargers 文件：347.63 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXTH140P05T	文件：222.8 Kbytes Page：6 Pages	TrenchP Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TrenchP™ Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features • International Standard Packages • Avalanche Rated • Extended FBSOA • Fast Intrinsic Diode • Low RDS(ON) and QG Advantages • Easy to Mount • Space Savings • High Power Density Applications • High-Side Switchi 文件：222.8 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

详细参数

型号：
IXTP140P05T
功能描述：
MOSFET -140 Amps -50V 0.008 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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