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IXTK20N150

High Voltage Power MOSFET Extended FBSOA

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

IXTX20N150

HighVoltagePowerMOSFETExtendedFBSOA

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

LQA20N150C

150V,20ACommon-CathodeDiode

GeneralDescription ThisdevicehasthelowestQRRofany150V Silicondiode.Itsrecoverycharacteristics increaseefficiency,reduceEMIandeliminate snubbers. Applications AC/DCandDC/DCoutputrectification Outputandfreewheelingdiodes Motordrivecircuits DC-ACinverters

POWERINTPower Integrations, Inc.

荷兰帕沃英蒂格盛有限公司

POWERINT

详细参数

  • 型号:

    IXTK20N150

  • 功能描述:

    MOSFET 1200V High Voltage Power MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IXTK20N150供应商 更新时间2024-4-16 18:16:00