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IXTK60N50L2

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=100mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·Solidstatecircuitbreakers ·Softstartcontrols ·Linearamplifiers

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IXTK60N50L2

LinearL2 Power MOSFET w/Extended FBSOA

IXYS

IXYS Corporation

IXTK60N50L2

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IXTN60N50L2

N-ChannelPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXTN60N50L2

N-ChannelEnhancementMode

IXYS

IXYS Corporation

IXTN60N50L2

N-ChannelMOSFET

DESCRIPTION ·DrainCurrent-ID=53A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage -VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCconverter ·BatteryChargers ·Highspeedpowerswitch

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IXTX60N50L2

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

IXTX60N50L2

LinearL2PowerMOSFETw/ExtendedFBSOA

IXYS

IXYS Corporation

详细参数

  • 型号:

    IXTK60N50L2

  • 功能描述:

    MOSFET 60 Amps 500V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IXTK60N50L2供应商 更新时间2025-7-25 13:41:00