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IXTN600N04T2	文件：182.62 Kbytes Page：6 Pages	TrenchT2 GigaMOS Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ●InternationalStandardPackage ●miniBLOC,withAluminiumNitride Isolation ●175°COperatingTemperature ●IsolationVoltage2500V~ ●HighCurrentHandlingCapability ●FastIntrinsicDiode ●AvalancheRated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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IXTN600N04T2

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TrenchT2 GigaMOS Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ●InternationalStandardPackage ●miniBLOC,withAluminiumNitride Isolation ●175°COperatingTemperature ●IsolationVoltage2500V~ ●HighCurrentHandlingCapability ●FastIntrinsicDiode ●AvalancheRated

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IXYS Integrated Circuits Division

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N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode

N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ●InternationalStandardPackages ●HighCurrentHandlingCapability ●FastIntrinsicDiode ●AvalancheRated ●LowRDS(on) Advantages ●EasytoMount ●SpaceSavings ●HighPowerDensity Applications ●DC-DCCo

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N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

详细参数

型号：
IXTN600N04T2
功能描述：
功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
RoHS：
否
制造商：
Micrel
产品：
MOSFET Gate Drivers
类型：
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
电源电压-最大：
30 V
电源电压-最小：
2.75 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-8
封装：
Tube

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更多IXTN600N04T2供应商更新时间2024-4-29 18:41:00

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