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IXTP182N055T	文件：227.45 Kbytes Page：6 Pages	TrenchMV??Power MOSFET 文件：227.45 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTP182N055T	文件：227.45 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated 文件：227.45 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTP182N055T	文件：295.94 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：295.94 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXTP182N055T	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道沟槽栅 Gen1 MOSFET • 国际标准包装\n• 低RDS(ON)\n• 雪崩评级\n• 高电流处理能力\n• 快速本征整流器;	Littelfuse 力特	Littelfuse

技术参数

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
0.005
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
182
Gate Charge (nC)：
114
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
0.42
Configuration：
Single
Typical Reverse Recovery Time (ns)：
70
Power Dissipation (W)：
360
Sample Request：
No
Replaced By Part Number：
IXTP200N055T2

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更多IXTP182N055T供应商更新时间2025-10-4 10:20:00

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