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IXTP102N15T	文件：239.52 Kbytes Page：7 Pages	Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TrenchGatePowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •Internationalstandardpackages •Avalancherated Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity Applications •DC-DCconverters •Batterychargers •Switched-modeandresonant-modepower	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP102N15T	文件：294.91 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤18mΩ@VGS=10V •Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATION •DC/DCConverters •HighSpeedPowerSwitchin	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFA102N15T	文件：298.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFA102N15T	文件：224.05 Kbytes Page：6 Pages	TrenchGatePowerMOSFETHiperFET TrenchGatePowerMOSFETHiperFET™ N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated Features •InternationalStandardPackages •AvalancheRated Advantages •EasytoMount •SpaceSavings •HighPowerDensity Applications •DC-DCConverters •BatteryChargers •Switched-ModeandResonant-Mod	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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详细参数

型号：
IXTP102N15T
功能描述：
MOSFET 102 Amps 150V 18 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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