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IXTN30N100L	文件：97.81 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFETs with Extended FBSOA	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTN30N100L	文件：134.05 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTN30N100L_V01	文件：134.05 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
BW-30N100W	文件：190.4 Kbytes Page：2 Pages	N-TypeFixedAttenuator	MINI Mini-Circuits	MINI
IGW30N100T	文件：802.72 Kbytes Page：11 Pages	LowLossIGBT:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnology LowLossIGBT:IGBTinTrenchStop®andFieldstoptechnology TrenchStop®andFieldstoptechnologyfor1000Vapplications offers: -lowVCEsat -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebehavior -positivetemperaturecoefficientinVCEsat Designedf	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IHW30N100R	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed2-Technology •Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection •2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IHW30N100R	文件：330 Kbytes Page：12 Pages	SoftSwitchingSeries	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IHW30N100R	文件：370.91 Kbytes Page：12 Pages	ReverseConductingIGBTwithmonolithicbodydiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IHW30N100T	文件：360.33 Kbytes Page：12 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnologywithanti-paralleldiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IHW30N100T	文件：318.83 Kbytes Page：12 Pages	SoftSwitchingSeries	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
IXTN30N100L
功能描述：
MOSFET 30 Amps 1000V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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