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IXTP3N60P	文件：234.48 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated 文件：234.48 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTP3N60P	文件：295.47 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：295.47 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXTP3N60P	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道标准 Polar™ MOSFET • 国际标准包装 \n• 动态dv/dt评级\n• 较低的RDS(ON)和Qg\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXTY3N60P	文件：308.15 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：308.15 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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技术参数

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
2.9
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
3
Gate Charge (nC)：
9.8
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
1.8
Configuration：
Single
Package Type：
TO-220
Typical Reverse Recovery Time (ns)：
500
Power Dissipation (W)：
70
Sample Request：
No
Replaced By Part Number：
IXTP4N65X2

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更多IXTP3N60P供应商更新时间2025-10-11 14:00:00

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