IXTP3N60P中文资料IXYS数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号：
IXTP3N60P
- 功能描述：
MOSFET 3 Amps 600V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TE/泰科 |
2508+ |
/ |
226570 |
一级代理，原装现货 |
询价 | ||
IXYS(艾赛斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
询价 | ||
ADI |
23+ |
N/A |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
JINGDAO/晶导微 |
23+ |
SMC |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
2447 |
SMD |
100500 |
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IXYS |
1822+ |
TO-220 |
9852 |
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IXYS |
23+ |
TO-220-3 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
IXYS |
1931+ |
N/A |
18 |
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询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
2407+ |
TO-220 |
30098 |
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询价 | ||
IXYS |
22+ |
NA |
18 |
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