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IXTP76P10T

TrenchP Power MOSFETs

文件:222.77 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTP76P10T

P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

文件:331.23 Kbytes 页数:7 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTP76P10T

P通道MOSFET

• 快速本征二极管\n• 较低的Qg和RDSon\n• 雪崩评级\n• 加大的FBSOA\n• 国际标准包装;

Littelfuse

力特

IXTT76P10THV

P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

文件:331.23 Kbytes 页数:7 Pages

IXYS

艾赛斯

详细参数

  • 型号:

    IXTP76P10T

  • 功能描述:

    MOSFET -76 Amps -100V 0.024 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IXTP76P10T供应商 更新时间2025-10-7 14:14:00