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型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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IXTP80N10T | TrenchMVTM Power MOSFET VDSS = 100V ID25 = 80A RDS(on) ≤ 14mΩ N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Features International Standard Packages 175°C Operating Temperature Avalanche Rated High Current Handling Capability Fast Intrinsic Diode Low RDS(on) 文件:190.48 Kbytes 页数:5 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | |
IXTP80N10T | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件:245.69 Kbytes 页数:2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
IXTP80N10T | N通道沟槽栅MOSFET • 国际标准包装\n• 低RDS(ON)\n• 雪崩评级\n• 高电流处理能力\n• 快速本征整流器; | Littelfuse 力特 | Littelfuse | |
N-CHANNEL MOSFET 文件:619.33 Kbytes 页数:11 Pages | JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司 | JSMC | ||
N-CHANNEL MOSFET 文件:619.33 Kbytes 页数:11 Pages | JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司 | JSMC | ||
N-CHANNEL MOSFET 文件:619.33 Kbytes 页数:11 Pages | JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司 | JSMC |
技术参数
- Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm):
0.014
- Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A):
80
- Gate Charge (nC):
60
- Thermal resistance [junction-case](K/W):
0.65
- Configuration:
Single
- Package Type:
TO-220
- Typical Reverse Recovery Time (ns):
100
- Power Dissipation (W):
230
- Sample Request:
Yes
- Check Stock:
Yes
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IXYS/艾赛斯 |
25+ |
TO220 |
20300 |
IXYS/艾赛斯原装特价IXTP80N10T即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO-3P |
3580 |
原装现货/15年行业经验欢迎询价 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
2021+ |
TO-220 |
9000 |
原装现货,随时欢迎询价 |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
TO-220 |
12048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
IXYS |
24+ |
TO-220 |
43 |
询价 | |||
IXYS |
TO-220P |
3200 |
原装长期供货! |
询价 | |||
IXYS |
24+ |
TO-220 |
5000 |
只做原装公司现货 |
询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-220-3 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
IXYS |
25+23+ |
TO-220P |
43206 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
IXYS |
18+ |
TO-220 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 |
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