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IXTP120P065T | P通道MOSFET • 快速本征二极管\n• 较低的Qg和RDSon\n• 雪崩评级\n• 加大的FBSOA\n• 国际标准包装; | Littelfuse 力特 | Littelfuse | |
IXTP120P065T | TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode 文件：195.35 Kbytes 页数：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | |
TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode 文件：195.35 Kbytes 页数：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | ||
Trench P-Channel MOSFET FEATURES · Drain Current -ID= -120A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -65V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 10mΩ(Max)@VGS= -10V APPLICATIONS · High-Side Switching · Automatic Test Equipment · Battery Charger Applications · DC Choppers 文件：333.05 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode 文件：195.35 Kbytes 页数：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS |
详细参数
- 型号：
IXTP120P065T
- 功能描述：
MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
23+ |
TO-220-3 |
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