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IXTP6N100D2	文件：190.36 Kbytes Page：5 Pages	Preliminary Technical Information Depletion Mode MOSFET 文件：190.36 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTP6N100D2	文件：197.48 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET 文件：197.48 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTP6N100D2	文件：178.14 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET 文件：178.14 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTP6N100D2	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道耗尽型MOSFET • “常开”运行状态\n• 线性模式容限\n• 较低的RDS(on)\n• 可使用体二极管\n• 内部标准封装\n• 拥有UL 94 V-0易燃性认证成型环氧树脂;	Littelfuse 力特	Littelfuse

详细参数

型号：
IXTP6N100D2
功能描述：
MOSFET N-CH MOSFETS(D2) 1000V 6A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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