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IXTP6N100D2规格书详情
特性 Features
• “常开”运行状态
• 线性模式容限
• 较低的RDS(on)
• 可使用体二极管
• 内部标准封装
• 拥有UL 94 V-0易燃性认证 成型环氧树脂
应用 Application
• 音频放大器
• 启动电路
• 保护电路
• 斜坡发生器
• 电流调节器
• 有效负载
技术参数
- 型号:
IXTP6N100D2
- 功能描述:
MOSFET N-CH MOSFETS(D2) 1000V 6A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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IXYS |
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